Cree präsentiert die industrieweit erste oberflächenmontierbare 1.200 V Siliziumcarbid-Schottky-Diode

Mai 2024

Freie-PM.de: Bauelement mit oberflächenmontierbaren TO-252 D-Pak-Gehäuse eignet sich besonders für das Design kompakter, preisgünstiger und effizienter Mikro-Wechselrichter für PV-Anwendungen

München, 24. Februar 2011 - Cree, ein führender Anbieter von Leistungshalbleitern auf Basis von Siliziumkarbid, hat die industrieweit erste kommerzielle, 1.200 V SiC-Schottky-Diode in Surface-Mount-Ausführung vorgestellt. Mit ihrem oberflächenmontierbaren Industriestandard-Gehäuse des Typs TO-252 D-Pak bietet diese Schottky-Diode die gleiche bewährte Performance wie die Cree-Bausteine im TO-220-Gehäuse für Einsteckmontage, allerdings mit kleinerem Leiterplatten-Footprint und weniger Bauhöhe. Dies erlaubt das Design kompakterer, kostengünstigerer und effizienterer Mikro-Wechselrichter für Photovoltaik-Anwendungen, als es mit den größeren Einsteck-Bauelementen möglich wäre.

"Einige unserer Kunden, die hocheffiziente Mikro-Wechselrichter für PV-Anlagen entwickeln, waren auf der Suche nach einem oberflächenmontierbaren Bauelement, das die von SiC-Schottky-Dioden gewohnte Performance bietet: Wegfall jeglicher Sperrverzögerungs-Verluste, hochfrequenter Betrieb mit niedrigem EMI-Aufkommen und ein niedrigeres Temperaturniveau. Sie hätten damit die Möglichkeit, das Design ihrer Leistungs-Wechselrichter zu vereinfachen, ohne Abstriche am hohen Systemwirkungsgrad machen zu müssen", berichtet Cengiz Balkas, Vice President und General Manager, Power und RF bei Cree. "Angesichts unserer Erfahrung in der Entwicklung von SiC-Leistungsbausteinen für hohe Spannungen war der Umstieg auf das oberflächenmontierbare D-Pak-Gehäuse ein folgerichtiger Schritt, um unsere Palette an Schottky-Dioden für diesen wichtigen Markt auszubauen."

Alessandro Di Nicco, Design Engineer New Platforms beim kalifornischen Wechselrichter-Hersteller Power-One, sagt: "Die Design-Trends im Bereich der PV-Mikro-Wechselrichter verlangen zwingend die Verwendung von Surface-Mount-Bauelementen mit kleinerem Footprint und flacherem Profil. Wir können damit den Platzbedarf der Wechselrichterschaltung verringern und die Kosten senken, gleichzeitig aber das hohe Zuverlässigkeits und Wirkungsgrad-Niveau halten. Die neuen oberflächenmontierbaren Schottky-Dioden von Cree sind ein wichtiger Schritt in Richtung auf unser Fernziel, den Mikro-Wechselrichter direkt in das PV-Panel zu integrieren."

Die Schottky-Dioden des Typs C2D05120E sind für 5 A und 1.200 V spezifiziert. Sie benötigen auf der Leiterplatte eine Montagefläche von ca. 6,6 mm x 9,9 mm bei einer Höhe von 2,3 mm. Der Sperrschichttemperaturbereich im Betrieb und der Lagertemperaturbereich sind mit 55 bis +175 °C angegeben.

Die oberflächenmontierbaren Schottky-Dioden vom Typ C2D05120E sind vollständig für den Produktionseinsatz qualifiziert und freigegeben. Muster und weitere Informationen über die SiC-Leistungsbausteine von Cree finden Sie auf www.cree.com/power

Über CREE
CREE ist ein weltweit führender Hersteller von LED-Chips, LED-Komponenten und LED-Beleuchtungslösungen. Power-Halbleiter und Bausteine für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen ergänzen das Produktportfolio. Das Unternehmen verfügt über jahrelange Erfahrung in der Herstellung und Verarbeitung von Siliziumcarbid (SiC) und Galliumnitrit (GaN) und war maßgeblich an der Entwicklung der ersten blauen LED beteiligt, die den Weg für die Herstellung weißer LEDs für allgemeine Beleuchtungsanwendungen ebnete. Die energieeffizienten, umweltverträglichen und kostensparenden Hochleistungs-LEDs von CREE eignen sich für die Innen- und Außenbeleuchtung, elektronische Anzeigetafeln, tragbare elektronische Geräte und für die Hintergrundbeleuchtung von Displays. Im Rahmen verschiedener Initiativen fördert CREE den weit verbreiteten Einsatz energieeffizienter und umweltfreundlicher LED-Beleuchtungen anstelle herkömmlicher Leuchtmittel und steht damit an der Spitze der LED-Beleuchtungsrevolution.

Weitere Informationen zum Unternehmen, zu Produkten, Neuigkeiten und Events finden Sie auf der Unternehmenswebseite: www.cree.com.

Über CREE

CREE ist ein weltweit führender Hersteller von LED-Chips, LED-Komponenten und LED-Beleuchtungslösungen. Power-Halbleiter und Bausteine für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen ergänzen das Produktportfolio. Das Unternehmen verfügt über jahrelange Erfahrung in der Herstellung und Verarbeitung von Siliziumcarbid (SiC) und Galliumnitrit (GaN) und war maßgeblich an der Entwicklung der ersten blauen LED beteiligt, die den Weg für die Herstellung weißer LEDs für allgemeine Beleuchtungsanwendungen ebnete. Die energieeffizienten, umweltverträglichen und kostensparenden Hochleistungs-LEDs von CREE eignen sich für die Innen- und Außenbeleuchtung, elektronische Anzeigetafeln, tragbare elektronische Geräte und für die Hintergrundbeleuchtung von Displays. Im Rahmen verschiedener Initiativen fördert CREE den weit verbreiteten Einsatz energieeffizienter und umweltfreundlicher LED-Beleuchtungen anstelle herkömmlicher Leuchtmittel und steht damit an der Spitze der LED-Beleuchtungsrevolution.

Weitere Informationen zum Unternehmen, zu Produkten, Neuigkeiten und Events finden Sie auf der Unternehmenswebseite: www.cree.com.
Cree, Inc
Ortrud Wenzel
Herzog-Wilhelm-Str. 26
80331 München
089-230 31 60

www.cree.com

Pressekontakt:
Fleishman-Hilllard Germany GmbH
Ortrud Wenzel
Herzog-Wilhelm-Str. 26
80331
München
cree.de@fleishmaneurope.com
089-230 31 60
http://fleishmaneurope.de/

(Interessante Erneuerbare Energien News, Infos & Tipps @ Erneuerbare-Energien-Net.de.)

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Bauelement mit oberflächenmontierbaren TO-252 D-Pak-Gehäuse eignet sich besonders für das Design kompakter, preisgünstiger und effizienter Mikro-Wechselrichter für PV-Anwendungen

München, 24. Februar 2011 - Cree, ein führender Anbieter von Leistungshalbleitern auf Basis von Siliziumkarbid, hat die industrieweit erste kommerzielle, 1.200 V SiC-Schottky-Diode in Surface-Mount-Ausführung vorgestellt. Mit ihrem oberflächenmontierbaren Industriestandard-Gehäuse des Typs TO-252 D-Pak bietet diese Schottky-Diode die gleiche bewährte Performance wie die Cree-Bausteine im TO-220-Gehäuse für Einsteckmontage, allerdings mit kleinerem Leiterplatten-Footprint und weniger Bauhöhe. Dies erlaubt das Design kompakterer, kostengünstigerer und effizienterer Mikro-Wechselrichter für Photovoltaik-Anwendungen, als es mit den größeren Einsteck-Bauelementen möglich wäre.

"Einige unserer Kunden, die hocheffiziente Mikro-Wechselrichter für PV-Anlagen entwickeln, waren auf der Suche nach einem oberflächenmontierbaren Bauelement, das die von SiC-Schottky-Dioden gewohnte Performance bietet: Wegfall jeglicher Sperrverzögerungs-Verluste, hochfrequenter Betrieb mit niedrigem EMI-Aufkommen und ein niedrigeres Temperaturniveau. Sie hätten damit die Möglichkeit, das Design ihrer Leistungs-Wechselrichter zu vereinfachen, ohne Abstriche am hohen Systemwirkungsgrad machen zu müssen", berichtet Cengiz Balkas, Vice President und General Manager, Power und RF bei Cree. "Angesichts unserer Erfahrung in der Entwicklung von SiC-Leistungsbausteinen für hohe Spannungen war der Umstieg auf das oberflächenmontierbare D-Pak-Gehäuse ein folgerichtiger Schritt, um unsere Palette an Schottky-Dioden für diesen wichtigen Markt auszubauen."

Alessandro Di Nicco, Design Engineer New Platforms beim kalifornischen Wechselrichter-Hersteller Power-One, sagt: "Die Design-Trends im Bereich der PV-Mikro-Wechselrichter verlangen zwingend die Verwendung von Surface-Mount-Bauelementen mit kleinerem Footprint und flacherem Profil. Wir können damit den Platzbedarf der Wechselrichterschaltung verringern und die Kosten senken, gleichzeitig aber das hohe Zuverlässigkeits und Wirkungsgrad-Niveau halten. Die neuen oberflächenmontierbaren Schottky-Dioden von Cree sind ein wichtiger Schritt in Richtung auf unser Fernziel, den Mikro-Wechselrichter direkt in das PV-Panel zu integrieren."

Die Schottky-Dioden des Typs C2D05120E sind für 5 A und 1.200 V spezifiziert. Sie benötigen auf der Leiterplatte eine Montagefläche von ca. 6,6 mm x 9,9 mm bei einer Höhe von 2,3 mm. Der Sperrschichttemperaturbereich im Betrieb und der Lagertemperaturbereich sind mit 55 bis +175 °C angegeben.

Die oberflächenmontierbaren Schottky-Dioden vom Typ C2D05120E sind vollständig für den Produktionseinsatz qualifiziert und freigegeben. Muster und weitere Informationen über die SiC-Leistungsbausteine von Cree finden Sie auf www.cree.com/power

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